[发明专利]高耐压的氮化镓二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 202010370958.5 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111477691B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 陈杰;徐舜 | 申请（专利权）人： | 无锡众享科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市滨湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体工艺技术领域，本发明提供的高耐压的氮化镓二极管的制作方法，工艺简单且兼容性高，第二导电类型结构采用多次外延工艺，不需要额外的复杂工艺。本发明的高耐压的氮化镓二极管中阶梯形的第二导电类型结构与阶梯形沟槽结构交错分布，能够有效改善沟槽槽底两端电力线密集的情况，从而提高器件的反向临界击穿电场，进一步提升了器件的反向耐压能力和降低了器件的反向漏电流，同时也增加了器件的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 耐压 氮化 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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