[发明专利]空穴传输层及其制作方法、钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号： | 202010367037.3 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111640867A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州联诺太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48;H01L27/30 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 孔令聪 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种空穴传输层及其制作方法、钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制作方法。一种空穴传输层的制作方法，空穴传输层用于钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，空穴传输层的制作方法包括如下步骤：采用原子层沉积技术在衬底上形成保护层；以及采用磁控溅射技术在保护层上形成金属氧化物层，得到空穴传输层。上述用于钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池的空穴传输层的制作方法，由于采用原子层沉积技术制作保护层，采用磁控溅射技术在保护层上制作金属氧化物层，因此既可以实现低温工艺，又可以大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 传输 及其 制作方法 钙钛矿 硅基异质结叠层 太阳能电池 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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