[发明专利]一种RRAM电路及RRAM行形成的方法在审
| 申请号： | 202010345384.6 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111599396A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 黄传辉;陈瑞隆;黄天辉;陈建平 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 周伟 |
| 地址： | 361008 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种RRAM电路及RRAM行形成的方法。RRAM电路包括：多个RRAM单元，其中，每个RRAM单元分别包括连接至位线的第一电极和通过存取晶体管连接至源极线的第二电极；连接电源的组件，包括通过位线连接至RRAM单元的第一电极的位线电源连接组件和通过源极线连接至RRAM单元的第二电极的源线电源连接组件，所述电源组件被配置为向所述多个RRAM单元中的通过存取晶体管连接到同一字线上的两个或更多个RRAM单元同时施加形成电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rram 电路 形成 方法 | ||
【主权项】：
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