[发明专利]生产带金属光学分离栅的光电发射和/或接收装置的方法在审
| 申请号： | 202010344997.8 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111863983A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 阿德里安·加斯;卢多维奇·杜普瑞;马里恩·沃尔博特 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/12 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 樊楠;陈万青 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于生产带有金属光学分离栅(140)的光电发射和/或光电接收装置(100)的方法，该方法至少包括：生产至少一个光电发射和/或光电接收部件(102)，其中，该光电发射和/或光电接收部件的至少一个第一金属电极(110)覆盖光电发射和/或光电接收部件的至少一个半导体堆叠部(104，106，108)的侧翼，并且延伸到光电发射和/或光电接收部件的至少一个发射和/或接收面(112)；对第一金属电极的位于发射和/或接收面处的至少一个面进行处理，使得能够将第一金属电极的所述面润湿；在至少一个支撑件(142)上生产金属光学分离栅；通过钎焊将金属光学分离栅紧固在第一金属电极的所述面上；移除该支撑件。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 金属 光学 分离 光电 发射 接收 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
