[发明专利]一种垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法有效
| 申请号： | 202010324601.3 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111470468B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 肖东阳;孙雷蒙;王玉容;杜欢欢;涂良成 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用原子层沉积法在碳纳米管表面沉积纳米量级的第一金属层，使第一金属层与碳纳米管形成欧姆接触；S2、在第一金属层的表面沉积微米量级的第二金属层，以填充碳纳米管表面空隙，形成金属薄膜；S3、在目标衬底表面沉积金属合金，将碳纳米管转移到目标衬底上。本发明采用沉积速率较慢、沉积包覆性好的原子层沉积在碳纳米管表面沉积一层纳米量级、浸滑性好的金属，实现金属纳米颗粒渗透入碳纳米管表面，增加金属纳米颗粒与碳管的接触面积，实现金属原子对碳纳米管的浸润和包覆，进而形成欧姆接触，有效的降低了目标衬底与碳纳米管之间的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 纳米 目标 衬底 转移 方法 | ||
【主权项】：
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