[发明专利]一种利用光信号可逆调控忆阻器电导的方法有效
| 申请号： | 202010322341.6 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111525027B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 诸葛飞;胡令祥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用光信号可逆调控忆阻器电导的方法，所述忆阻器包括底电极层、顶电极层以及位于两者之间的中间介质层，所述方法为通过底电极层或顶电极层输入光信号，所述方法包括提高忆阻器电导的光写入模式和降低忆阻器电导的光擦除模式；在光写入模式下，光信号为紫外光、可见光或红外光；在光擦除模式下，光信号为可见光或红外光。本发明在全光模式下成功模拟了生物突触的脉冲时间依赖可塑性。相比传统电信号调控，光信号具有超高的速度和极好的并行性，利用全光信号对忆阻器电导进行连续可逆调节，可以很好地将光子学和电子学的优势结合在一起。本发明提供的忆阻器调控方法在光电计算和人工视觉领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 信号 可逆 调控 忆阻器 电导 方法 | ||
【主权项】：
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