[发明专利]一种制备高结晶度钙钛矿的方法及其产品应用有效
| 申请号： | 202010317444.3 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111509129B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 袁永波;崔少文 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;C07C209/68;C07C211/27;C07C211/04 |
| 代理公司： | 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 | 代理人： | 周咏;林毓俊 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备高结晶度钙钛矿的方法及其产品应用，包括以下步骤：(1)制备4主族金属卤化盐溶液、卤化有机盐溶液；(2)制备卤化有机盐‑有机阳离子的混合液；(3)制备金属卤化盐‑抑制剂‑添加剂的混合溶液；(4)将步骤(2)中的卤化有机盐‑有机阳离子的混合液与步骤(3)中的金属卤化盐‑抑制剂‑添加剂的混合溶液混合均匀后，静置老化，得到二维/准二维层状钙钛矿溶液；(5)将步骤(4)中的二维/准二维层状钙钛矿溶液通过涂膜法制备于基体上，退火处理后，得到钙钛矿。本发明通过介入结晶抑制剂调控晶体结晶速率，提高A位离子运输和组装的速度与钙钛矿结晶速度的匹配度，进而减少晶体结构的紊乱，提高钙钛矿的结晶度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 结晶度 钙钛矿 方法 及其 产品 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学，未经中南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010317444.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种接口安全化交互方法及系统
- 下一篇：一种电缆存储运输用的自动绕线台
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
