[发明专利]双分离栅闪存电路及存储装置、读取方法有效
| 申请号： | 202010300323.8 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111489779B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/24;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双分离栅闪存电路、存储装置及读取方法。所述双分离栅闪存电路包括存储单元和用来获取存储单元的读出电信号控制模块，存储单元包括与源电极连接的第一位线和与漏电极连接的第二位线，在执行读操作时，将第二位线预充到电源电压，并使控制模块电连接至第一位线的输出端来获取读出信号。所述双分离栅闪存电路在电源电压较小的场合也可以较方便地在存储单元源漏电极间形成满足读操作需要的电势差，进而对选中存储单元进行读操作。控制模块不需要专门设置NZ管来减少电压损耗，可以省掉一层光罩，节约闪存制作成本。本发明还提供一种包括上述双分离栅闪存电路的存储装置和一种利用上述双分离栅闪存电路的读取方法。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 闪存 电路 存储 装置 读取 方法 | ||
【主权项】：
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