[发明专利]一种法维拉韦分子印迹糊电极传感器的制备方法在审
| 申请号： | 202010271985.7 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111551617A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李慧芝;许崇娟;朱学英 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | G01N27/48 | 分类号： | G01N27/48;G01N27/30;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人： | 赵凤 |
| 地址： | 250022 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种法维拉韦分子印迹糊电极传感器的制备方法，采用纳米磷化镓、氧化石墨烯、碳量子点、1‑乙基甲基醚‑3‑甲基咪唑磷酸盐为原料，制备得到磷化镓/量子点糊电极；采用γ‑缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷修饰磷化镓/量子点糊电极，得到γ‑缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷修饰磷化镓/量子点糊电极；以法维拉韦模板分子，四乙烯五胺和2‑氨基吡咯为单体，三羟甲基丙烷三缩水甘油醚为交联剂，制备法维拉韦分子印迹聚合物；采用滴涂法将维拉韦分子印迹聚合物修饰在γ‑缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷修饰磷化镓/量子点糊电极上，制得法维拉韦分子印迹糊电极传感器。该传感器具有灵敏度高、特异性好、检测快速，可反复使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 法维拉韦 分子 印迹 电极 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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