[发明专利]一种提高CVD钻石硬度的方法在审
申请号: | 202010260758.4 | 申请日: | 2020-04-03 |
公开(公告)号: | CN111304750A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 赵芬霞;刘宏明 | 申请(专利权)人: | 湖州中芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | C30B33/02 | 分类号: | C30B33/02;C30B33/04;C30B29/04 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 邓凌云 |
地址: | 313000 浙江省湖州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及材料科学技术领域,且公开了一种提高CVD钻石硬度的方法,包括以下步骤:S1、硬件准备并对相关硬件设施进行安装,首先准备能够发出辐照剂量达到3E19‑1E20cm^(‑2)高能粒子束的电子枪,也需要准备旋转平台和固定CVD钻石的夹具,同时把钻石夹具与旋转平台的顶端连接,之后把旋转平台和电子枪都安装在工作位置上;S2、原材料挑选,在众多大小不一的CVD钻石中挑选形状规则,大小适中的CVD钻石,并把CVD钻石固定在钻石夹具中。该提高CVD钻石硬度的方法,能够有效提高CVD钻石硬度,提高了CVD钻石工业使用时使用效果,同时能够提高CVD钻石的使用寿命,避免发生设备经常更换CVD钻石的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 cvd 钻石 硬度 方法 | ||
【主权项】:
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