[发明专利]一种磁场驱动双稳态结构及其制作方法有效
申请号: | 202010250564.6 | 申请日: | 2020-04-01 |
公开(公告)号: | CN111416546B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 张征;周一松;孙敏;李毅;柴灏;李吉泉;吴化平;彭翔 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学 |
主分类号: | H02N2/00 | 分类号: | H02N2/00 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 310014 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种磁场驱动双稳态结构及其制作方法,一种磁场驱动双稳态结构,包括双稳态层合板、用于驱动双稳态层合板变形的磁敏变形驱动器,所述磁敏变形驱动器固定在双稳态层合板表面。本发明采用提供一种磁场驱动双稳态结构及其制作方法,响应速度快、结构简单、控制简单便于操作,且制作简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁场 驱动 双稳态 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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