[发明专利]一种双面透明电极的垂直结构LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010250436.1 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111416026A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州凯东知识产权代理有限公司 44259 | 代理人： | 李勤辉 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新技术开*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双面透明电极的垂直结构LED芯片及其制备方法，结构从下至上依次包括支撑导电基板、键合金属层、保护金属层、反射金属层、p面透明电极、外延层、钝化绝缘层和n面透明电极，其中，所述钝化绝缘层设置在所述外延层的外周，并与所述外延层顶部形成第一凹槽，所述n面透明电极底部设置有与第一凹槽相匹配的凸起。由于p面电极采用透明电极，能做出稳定的欧姆接触，使产品电压稳定，且透光性能良好，解决了传统垂直结构LED芯片电压不稳定的问题；此外，由于n面电极也采用透明电极，能够极大的改善电流扩展，和避免n电极吸光挡光问题，进一步提升亮度，减少大电流下发热，提升光效，解决传统垂直结构LED芯片电流扩展不好的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 透明 电极 垂直 结构 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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