[发明专利]储存级存储器的双列直插式存储模块装置及其缓存方法在审
| 申请号： | 202010230514.1 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111274163A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 周小锋;江喜平 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F12/0871 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 关丽丽;郑建晖 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及储存级存储器的双列直插式存储模块装置及其缓存方法。本发明的储存级存储器的双列直插式存储模块能够将双列直插式存储模块上的非易失性存储器扩展为系统的存储器进行使用，使系统的存储器空间增加。另外，在本发明的储存级存储器SCM的双列直插式存储模块DIMM上存在一个核心的控制器，用于在输出命令/地址信号以及数据信号时对其进行驱动，以提高模块的速率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 储存 存储器 双列直插式 存储 模块 装置 及其 缓存 方法 | ||
【主权项】：
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