[发明专利]用于互连性能提高的交错线及其形成工艺在审
| 申请号： | 202010220559.0 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN112151499A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | K·L·林;M·昌德霍克;M·雷什奥特克;C·杰泽斯基;E·韩;G·辛格;S·阿塔纳索夫;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种互连结构。所述互连结构包括第一互连线和第二互连线。第一互连线和第二互连线是交错的。第二互连线中的各个互连与第一互连线中的各个互连横向偏移。电介质材料与第一互连线和第二互连线中的至少一个中的各个互连的至少一部分相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 性能 提高 交错 及其 形成 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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