[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审
| 申请号： | 202010218557.8 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111799151A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 中泽贵士;筱原和义 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法包括保持步骤、事先加热步骤、释放步骤和移动步骤。保持步骤保持基片。事先加热步骤加热相反面的中央部，该相反面是基片的与被处理面相反一侧的面。释放步骤在事先加热步骤后，对被处理面的周缘部释放作为硫酸和过氧化氢的混合液的SPM。移动步骤在释放步骤后，使SPM的释放位置从被处理面的周缘部向中央部移动。本发明能够在使用SPM的基片处理中抑制偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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