[发明专利]一种解决STT-RAM缓存写失败的方法有效

专利信息
申请号: 202010214371.5 申请日: 2020-03-24
公开(公告)号: CN111580750B 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 章铁飞 申请(专利权)人: 浙江工商大学
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F11/10;G06F15/78
代理公司: 杭州天欣专利事务所(普通合伙) 33209 代理人: 梁斌
地址: 310018 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种解决STT‑RAM缓存写失败的方法,在纠错码的纠错能力与存储代价之间取得平衡。本发明包括如下步骤:S1、发起写数据操作时,确定将写的目标缓存块后,读出目标缓存块的旧数据按位与新数据按位比较后,计算统计当前数据位对应的STT‑RAM单元将发生0到1的切换的总数据位数n;S2、比较n与阀值Kth,如果n大于Kth,则采用扩展纠错码进行纠错,如果n小于等于Kth,则采用默认纠错码进行纠错;S3、写缓存块时,设置目标缓存块标签的标志位,标识目标缓存块的纠错码类型;S4、读取缓存块数据时,同时读取缓存块标签的标志位,根据标志位确定所采用的纠错码类型,将缓存块发往对应的纠错码解码器纠错。
搜索关键词: 一种 解决 stt ram 缓存 失败 方法
【主权项】:
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