[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010211664.8 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111403333A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 黄帆;王建智 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/535 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明的制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成第一蚀刻停止层、第一介电层、第二蚀刻停止层；在第一蚀刻停止层、第一介电层和第二蚀刻停止层中形成第一通孔；在第二蚀刻停止层与第一通孔上形成第二介电层，位于第一通孔两侧的第二介电层在第一通孔上方对接，使第一通孔形成封闭的空洞；在第二介电层和第二蚀刻停止层中形成第二通孔，第二通孔与第一通孔连通；加深第一通孔至衬底；在第一通孔和第二通孔中填充金属，形成与衬底连接的超厚金属层。本发明解决了现有的超厚金属层制备过程中存在的蚀刻难度大，蚀刻质量差，易导致器件失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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