[发明专利]像元级倍增内线帧转移CCD像素结构有效
| 申请号： | 202010199462.6 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111405210B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 王小东;熊平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H04N5/372 | 分类号： | H04N5/372;H04N5/378 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及像元级倍增的IFT CCD像元结构，特别涉及一种像元级倍增内线帧转移CCD像素结构，该结构包括衬底、像元倍增结构、像元垂直转移区，所述像元倍增结构由沟阻环绕并在一侧有开口，在所述像元倍增结构和沟阻开口处的上方设置有像元倍增栅；像元垂直转移区在像元光敏区的一侧，所述像元垂直转移区由像元垂直转移沟道和沟道上方的像元垂直转移栅组成，所述像元垂直转移栅的下方设置有像元垂直转移栅下势垒，像元垂直转移栅下势垒将像元垂直转移沟道分割成几个独立部分，由像元垂直转移栅及栅下势垒控制光电信号在像元内部的垂直转移；本发明可实现在前端像元级的探测灵敏度提高，且可以对微光甚至单光子信号进行探测。 | ||
| 搜索关键词： | 像元级 倍增 内线 转移 ccd 像素 结构 | ||
【主权项】：
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