[发明专利]一种碳化硅单晶位错检测方法在审
| 申请号： | 202010198747.8 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111366589A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 彭燕;杨祥龙;徐现刚;王垚浩;于国建;陈秀芳 | 申请（专利权）人： | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N1/32;C30B33/12;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511400 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种碳化硅单晶位错检测方法，利用氢等离子体或者氧等离子体的刻蚀特性，刻蚀碳化硅晶圆表面，得到碳化硅单晶中的位错缺陷，既可以选择对C面刻蚀、也可以对Si面刻蚀，不采用强碱熔融作为腐蚀液，安全且高效，另外，由于微波等离子体腔体较大，无需额外制样，可实现小片或者全片观察位错类型、密度和分布情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 单晶位错 检测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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