[发明专利]一种多坩埚生长闪烁晶体籽晶的方法在审
| 申请号： | 202010197966.4 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111304733A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张香港;殷子昂;杨帆;王涛 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/12 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 华金 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种多坩埚生长闪烁晶体籽晶的方法，该方法在将原料按照一定比例放置于多支特制石英坩埚中，抽真空后封接坩埚，上述坩埚的内径与所需籽晶尺寸一致，可以自发形核生长闪烁体晶体，使用特制的支撑结构将上述坩埚一起放入晶体生长设备中进行生长，最后取出晶体后沿径向切割打磨即可得到所需的晶体籽晶。由于生长出的晶体直径与所需籽晶相同，只需沿径向切割至所需长度，并简单加工切割面即可作为籽晶使用，工艺简单，原料利用率高。使用本方法生产的闪烁晶体籽晶成品率高达80‑95％；籽晶质量优良，通透光洁，无明显包裹物存在，能量分辨率高；多坩埚共同生长有效提升籽晶生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 坩埚 生长 闪烁 晶体 籽晶 方法 | ||
【主权项】：
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