[发明专利]一种碲化铋基热电元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010196629.3 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111261767A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 顾明;王旭;柏胜强;史迅;陈立东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L35/08 | 分类号： | H01L35/08;H01L35/32;H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 郑优丽;熊子君 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碲化铋基热电元件及其制备方法。P型碲化铋基热电元件包括：P型碲化铋热电材料层、阻挡层和电极层，所述阻挡层位于所述P型碲化铋热电材料层和所述电极层之间，所述阻挡层的材料选自Fe、Co和Cr单质中的一种，或由至少两种上述单质构成的合金或混合物。上述P型碲化铋基热电元件在高温下阻挡层与碲化铋基体界面结合良好、界面扩散可控、接触电阻率低且稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化铋基 热电 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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