[发明专利]一种高性能硼掺杂金刚石纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 202010193984.5 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111232972B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 刘金龙;刘彦辉;李成明;原晓芦;魏俊俊;陈良贤;安康 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/26 | 分类号： | C01B32/26;C01B32/28;B82Y40/00;C23C16/01;C23C16/27;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高性能硼掺杂金刚石纳米线的制备方法，属于半导体材料领域。步骤如下：a.利用高本底真空微波等离子体化学气相沉积装置，通过等离子体中引入低浓度硼源实现金刚石膜P型半导体的生长；b.制备态硼掺杂金刚石膜经精细研磨获得低于500nm粗糙度的表面；c.使用电感耦合等离子氧等离子体和氯等离子体对研磨后的金刚石膜进行无掩模刻蚀，制备出硼掺杂金刚石纳米线阵列；d.采用氢等离子体刻蚀处理的方式进行氢化，使硼掺杂金刚石纳米线阵列表面导电；e.对硼掺杂金刚石纳米线阵列进行超声分散并使单根金刚石纳米线吸附在绝缘衬底上，实现单根硼掺杂金刚石纳米线的制备。本发明通过电感耦合等离子体刻蚀制备了金刚石纳米线，提高了比表面积和载流子浓度，提升了金刚石导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 掺杂 金刚石 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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