[发明专利]一种铝硅合金表面高太阳吸收率消杂光膜层的制备方法有效
| 申请号： | 202010192975.4 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111254473B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 吴晓宏;李涛;卢松涛;洪杨;秦伟;邓天奇;姚远 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C25D11/06 | 分类号： | C25D11/06;C25D11/16;C23F1/20 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 邓宇 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铝硅合金表面高太阳吸收率消杂光膜层的制备方法，属于铝硅合金表面处理领域。本发明解决现有铝硅合金的表面难以成膜的问题。本发明采用浓硝酸与氢氟酸的混合溶液作为铝硅合金的刻蚀液，在室温下利用铝硅合金中对于成膜不利的硅与氢氟酸反应将其除去，同时为防止铝基底与氢氟酸反应造成膜层腐蚀，利用硝酸与铝的反应将其钝化以阻止刻蚀液与铝基底进行反应，然后通过微弧氧化技术在恒流模式下使用双向脉冲电源制备致密光滑、耐蚀性优良的高太阳吸收率膜层。本发明制得的膜层既可作为高太阳吸收率消杂光膜层也可作为有机涂层的基体使用，因此在表面改性领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 表面 太阳 吸收率 消杂光膜层 制备 方法 | ||
【主权项】：
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