[发明专利]一种磁控溅射反应设备在审

专利信息
申请号: 202010190553.3 申请日: 2020-03-18
公开(公告)号: CN111304609A 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 鲁聪达;俞越翎;马毅;黄先伟;宋宇轩;张泰华 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/50;C23C14/34
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 周希良
地址: 310000 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种磁控溅射反应设备,包括溅射机构、样品架和步进电机;溅射机构包括靶材,用于对基片上的样品进行磁控溅射;样品架包括周向均匀分布的多个基片固定座,基片固定座用于固定负载样品的基片;基片固定座与步进电机传动连接,步进电机动作使基片固定座依次转动至与靶材相对应。本发明具有的优点包括:通过步进电机连接样品架,实现了样品对准靶材时一键到位,避免了人工控制产生的误差。
搜索关键词: 一种 磁控溅射 反应 设备
【主权项】:
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