[发明专利]一种用磁控溅射封装深紫外LED芯片的方法有效
| 申请号： | 202010189752.2 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN111403578B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 张立胜;贺钟冶 | 申请（专利权）人： | 深圳深旨科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/56 | 分类号： | H01L33/56;H01L33/58;H01L33/64 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 谭雪婷;梁炎芳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区观*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了采用磁控溅射的方式在靶材上沉积高紫外线透过率的AlN、SiN薄膜材料，隔绝芯片与空气、水的接触，达到深紫外LED芯片封装的目的。本发明技术方案旨在保持封装结构气密性和稳定性，提高灯珠的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 封装 深紫 led 芯片 方法 | ||
【主权项】：
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