[发明专利]一种大截面溴化钾晶体的生长方法在审
| 申请号： | 202010189191.6 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111411392A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李永涛;张学建;郭立;刘卉昇;王红宇;刘明坤;张小伟;盖亮宇;刘景和 | 申请（专利权）人： | 吉林建筑大学;长春理工大学 |
| 主分类号： | C30B15/36 | 分类号： | C30B15/36;C30B15/10;C30B15/20;C30B29/12;C30B33/02 |
| 代理公司： | 长春市吉利专利事务所(普通合伙) 22206 | 代理人： | 李晓莉 |
| 地址： | 130118 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提出的一种大截面溴化钾晶体的生长方法，属于碱金属卤化物型光学晶体生长工艺领域，该生长方法是采用提拉法在大气环境下生长大截面溴化钾晶体的方法，包括籽晶的制备、块料压制、石英坩埚底部温度补偿和提拉法生长晶体步骤。该方法可以获得直径300mm以上的大截面高质量的溴化钾晶体毛坯。所获得的晶体测试表明：该溴化钾晶体在红外波段具有低于3％的吸收，溴化钾是典型的碱金属卤化物离子晶体，透过波段宽0.3μm～34μm，透过率高95％，广泛应用于激光器窗口材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 截面 溴化钾 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
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