[发明专利]存储器的制造方法有效
| 申请号： | 202010176400.3 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111354643B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张怡;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788;H10B41/30 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器的制造方法，包括：提供一衬底，存储区域的衬底上形成有栅氧化层、第一结构层以及字线；外围区域的衬底上形成有栅氧化层、第二结构层以及第一氧化硅层，所述第一结构层中形成有沟槽；依次形成第一氮化硅层、第二氮化硅层和第二氧化硅层；刻蚀所述外围区域的第二氧化硅层、第二氮化硅层、第一氮化硅层以及第一氧化硅层；湿法清洗所述第二结构层表面。在形成所述沟槽以及所述第一氧化硅层之后不立即去除外围区域的第一氧化硅层，而是继续沉积第一氮化硅层、第二氮化硅层和第二氧化硅层，并且在形成所述第二氧化硅层之后去除所述第一氧化硅层，这样不但去除了所述第一氧化硅层，而且可以避免损坏所述沟槽形貌的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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