[发明专利]表面光栅半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 202010171721.4 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111370995B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 梁松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种表面光栅半导体激光器及其制作方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、量子阱层、包层及接触层；在接触层上沉积SiN层，并制作SiN光栅掩模；在SiN光栅掩模及裸露的接触层上沉积SiO |
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| 搜索关键词： | 表面 光栅 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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