[发明专利]一种透射电镜高分辨原位气相加热芯片及其制备方法有效
申请号: | 202010170783.3 | 申请日: | 2020-03-12 |
公开(公告)号: | CN111370280B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 廖洪钢;江友红 | 申请(专利权)人: | 厦门超新芯科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/26 | 分类号: | H01J37/26;H01L21/02;H05B3/20 |
代理公司: | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人: | 秦华 |
地址: | 361000 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种透射电镜高分辨原位气相加热芯片及其制备方法。其结构为上片和下片通过金属键合层组合,自封闭形成一个超薄的腔室;上片和下片的材质均为两面有氮化硅或氧化硅的硅基片,上片有两个注样口和一个中心视窗;下片有气体入口、气体出口、支撑层、加热层、绝缘层,孔洞以及中心视窗;加热层有四个接触电极及螺旋环形加热丝;在以中心视窗为中心,且在大于螺旋环形加热丝外边缘区域内,硅腐蚀掉后留有孔洞,支撑层覆盖在孔洞的上方;加热丝置于孔洞上的支撑层上;气体入口与气体出口关于中心视窗对称布置,中心视窗位于加热层的中心处;中心视窗上均有多个小孔。所述芯片具有快速升降温,分辨率高,气体流向可控,样品漂移率低的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 透射 电镜高 分辨 原位 相加 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门超新芯科技有限公司,未经厦门超新芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010170783.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。