[发明专利]一种基准源电路有效
| 申请号： | 202010170044.4 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111381625B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 周宁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路领域，具体涉及一种基准源电路，基准源电路中的第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的源极均连接电源电压端；第一PMOS管的栅极分别连接第一PMOS管的漏极和第四PMOS管的栅极，第一PMOS管的漏极分别连接第一NMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极；第一NMOS管的源极依次串联第三电阻和第一电阻后接地，第一NMOS管的栅极分别连接第二NMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的漏极连接第四PMOS管的漏极，第二NMOS管的源极接地；第二PMOS管的漏极形成电压输出节点，第二PMOS管的漏极连接第二电阻的一端；第三PMOS管的漏极为电流输出节点。本发明可以解决相关技术中带隙基准电路不适用低电压低功耗设计中的应用问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基准 电路 | ||
【主权项】：
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