[发明专利]光通信用掩埋结构高线性DFB激光器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010167005.9 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111181005A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 薛正群;邓仁亮;李敬波;苏辉 | 申请（专利权）人： | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 林捷;蔡学俊 |
| 地址： | 362700 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光通信用掩埋结构高线性DFB激光器芯片及其制备方法，步骤如下：（1）在半绝缘衬底上生长所述激光器一次外延结构，采用全息方法制备均匀光栅，并进行光栅的再生长；（2）采用单层SiN做掩膜，形成脊型结构，并采用化学腐蚀方法形成脊波导，接着对脊波导的表面进行处理，在外延设备中依次完成电流阻挡层和最后生长；（3）在样品表面制备P型和N型电极，形成共面电极结构，接着对激光器进行后续工艺制备完成芯片制备工艺。本发明通过对外延结构、材料生长的表面处理、芯片结构等方面进行优化调整，来实现含Al材料掩埋结构激光器的制备，并有效改善激光器可靠性优化、优化载流子注入过程、改善发热和高温性能。 | ||
| 搜索关键词： | 光通信 掩埋 结构 线性 dfb 激光器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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