[发明专利]基于石墨烯基封装衬板的大功率IPM的结构及加工工艺有效

专利信息
申请号: 202010166837.9 申请日: 2020-03-11
公开(公告)号: CN111261599B 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 鲍婕;刘琦;汪礼;许媛;陈珍海;宁仁霞;赵年顺;侯丽;何宁业 申请(专利权)人: 黄山学院
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L25/16;H01L21/50
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 韩凤
地址: 245041 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种基于石墨烯基封装衬板的大功率IPM的结构及加工工艺,其结构包括IGBT芯片、快恢复二极管芯片、驱动芯片、石墨烯基封装衬板、焊料层、导电铜柱、塑封外壳、封装树脂、导热硅脂以及散热器。本发明采用双封装衬板加芯片倒装的方式,将热量从大功率IPM的芯片通过上下两条热传导路径散发,降低芯片上的局部热点温度;同时在封装衬板的绝缘层表面和衬板底面化学气相沉积生长高热导率的多层石墨烯薄膜,从而减小大功率IPM从芯片到环境的整体热阻,提升散热效率。
搜索关键词: 基于 石墨 封装 大功率 ipm 结构 加工 工艺
【主权项】:
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