[发明专利]平面型场效晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202010165765.6 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111326588A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 谢思义;黄进文;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 四川美阔电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 李朝虎 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区玉龙*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了平面型场效晶体管及其制造方法，平面型场效晶体管包括外延层EPI，所述外延层EPI分为终端区和主动区，其特征在于，终端区内设置有横向掺杂结构VLD、多晶硅场板Polv、金属场板Metal；横向掺杂结构VLD从外延层EPI的表面朝向外延层EPI的内部生长形成；多晶硅场板Polv Field Plate从外延层EPI的表面朝向外延层EPI的外部生长形成；金属场板Metal Field Plate从外延层EPI的表面朝向外延层EPI的外部生长形成。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 型场效 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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