[发明专利]过渡金属元素掺杂CuGaS2

摘要

本发明公开了一种过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜及其制备方法，制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底，再将CuGaS2靶材与过渡金属元素靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上；然后将钠钙玻璃衬底固定在载物台上抽真空；在溅射介质Ar流量为30sccm、工作压力为0.6Pa的条件下依次交替溅射CuGaS2和过渡金属元素靶材，在一定温度的钠钙玻璃衬底上沉积X‑CuGaS2得到层叠膜，其中X表示过渡金属元素；最后将所述层叠膜放入退火炉中退火，最终得到X‑CuGaS2中间带薄膜。本发明的过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜的制备方法，采用交替磁控溅射法结合保护气氛下退火处理得到纯黄铜矿结构X‑CuGaS2中间带薄膜，组成元素及薄膜表面晶体颗粒尺寸分布均匀，有杂质带形成，从而提高了光吸收强度。