[发明专利]一种Cr掺杂In2

摘要

本发明公开了一种Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法。首先称取In2S3和Cr2S3粉末样品放入球磨罐中；然后球磨罐中加入无水乙醇，密封球磨罐，然后将球磨罐放入球磨机中球磨；再将球磨后的样品取出放入离心管中做离心处理，将离心后的样品中的上层无水乙醇倒出，然后干燥，然后取出，手工研磨，然后放入退火炉中退火，退火后得到Cr‑In2S3中间带材料。本发明的Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法，其制备方法简单，采用球磨法结合退火处理制备了Cr‑In2S3光吸收层材料，结构中各个元素符合化学计量比，组成元素分布均匀，其光反射强度低，从而导致光吸收强度强，而且能够吸收红外区的光生载流子，降低光生电子‑空穴对复合。