[发明专利]一种钕铁硼永磁器件的处理方法在审
| 申请号： | 202010161341.2 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN111334767A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 段永利;孙昊天 | 申请（专利权）人： | 沈阳中北通磁科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/32;C23C14/16;H01F41/18;H01F41/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110168 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种钕铁硼永磁器件的处理方法。将装有钕铁硼永磁器件的承载装置送入带有进料室和出料室的真空镀膜设备的镀膜室内，镀膜室内的辊道上方设置有溅射装置，溅射装置为3台以上，溅射装置至少包括离子源、多弧靶、磁控溅射靶和射频溅射靶中的2种以上。多弧靶、磁控溅射靶和射频溅射靶上包含靶材，靶材表面到在镀膜室内进行涂层的钕铁硼永磁器件表面的空间垂直距离在30‑200mm范围内，靶材的一部分从靶材表面溅射出来沉积到经过镀膜室内的承载装置上的钕铁硼永磁器件表面形成涂层，靶材至少为选自Tb、Dy、Nd、Pr、Y、Nb、Al、Ti、Zr、Ni、Cr中的一种以上。沉积在钕铁硼永磁器件表面形成涂层的靶材占靶材总消耗量的70%以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钕铁硼 永磁 器件 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳中北通磁科技股份有限公司，未经沈阳中北通磁科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010161341.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
