[发明专利]一种光电探测器阵列制备方法有效

专利信息
申请号: 202010152180.0 申请日: 2020-03-06
公开(公告)号: CN111341918B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 邹吉华;任翱博;王志明;袁黎明;黄一轩;徐浩;魏顺勇;巫江 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46;H01L27/30
代理公司: 成都聚蓉众享知识产权代理有限公司 51291 代理人: 张辉
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种光电探测器阵列制备方法,属于光电材料与器件技术领域,目的在于解决钙钛矿薄膜器件小型化、图形化的问题。其包括以下步骤:S1、首先对石英玻璃基底进行清洗,再对其表面进行处理;S2、对组分为Ti3C2Tx的MXene胶体溶液进行制备,并将制备好的MXene溶液旋涂在S1处理后的石英玻璃基底上成膜;S3、用激光直写对S2中得到涂覆有MXene薄膜的石英玻璃基底进行第一次沟道刻划;S4、在S3处理后的石英玻璃基底上制备钙钛矿吸收层;S5、采用激光直接对S4处理后的样品进行第二次刻划,去移除多余的钙钛矿吸收层;S6、采用激光直写对S5处理后的样品进行第三次刻划,分离出像素单元,形成钙钛矿成像阵列。本发明适用于光电探测器阵列制备方法。
搜索关键词: 一种 光电 探测器 阵列 制备 方法
【主权项】:
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