[发明专利]双胞封装肖特基二极管芯片的双芯隔离结构及制造方法有效
| 申请号： | 202010149296.9 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111430468B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 陈烨;陈晓伦;徐永斌;叶新民;朱瑞;曹益 | 申请（专利权）人： | 江苏新顺微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵青 |
| 地址： | 214431 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明还提供一种双胞封装肖特基二极管芯片的双芯隔离结构及制造方法，包括重掺杂衬底上设有第一导电类型的轻掺杂硅外延层，在外延层的顶部设有两个具有间距的第一导电类型的重掺杂区、且设有二氧化硅层，两个重掺杂区的部分区域及之间区域的正上方的连续二氧化硅层被去除，形成肖特基整流接触窗口，在肖特基整流接触窗口上设有肖特基势垒金属层，肖特基势垒金属层与两个重掺杂区形成肖特基欧姆接触，以构成截止等位环结构，肖特基势垒金属层与外延层形成肖特基整流接触，在肖特基势垒金属层上设置有电极金属层，两重掺杂区之间的轻掺杂硅外延层与肖特基势垒金属层形成了肖特基结，在轻掺杂硅外延层内形成了肖特基的空间电荷区。 | ||
| 搜索关键词： | 双胞 封装 肖特基 二极管 芯片 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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