[发明专利]功率器件外延结构的制备方法及功率器件外延结构有效
| 申请号： | 202010149236.7 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111326577B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 何俊蕾;刘成;赵杰;林育赐;郭德霄;徐宁;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 方晓燕 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率器件外延结构的制备方法及功率器件外延结构，属于氮化物功率器件技术领域。半导体外延结构包括：衬底及依次形成于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层、P型氮化物层、刻蚀终止层以及牺牲层，其中，刻蚀终止层为铝镓氮化合物材料。功率器件外延结构的制备方法包括：制作半导体外延结构；对半导体外延结构进行高温退火；刻蚀牺牲层，以形成表面平整的功率器件外延结构。该功率器件外延结构使P型氮化物层能够通过高温退火获得较高空穴浓度的同时具有平整的表面，进而提升金属与P型氮化物之间的电学特性及均匀性，以用于制备增强型HEMT。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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