[发明专利]一种洋葱碳/二氧化锰阵列电极及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010147242.9 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111415822A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 褚清新;苏瑛 | 申请（专利权）人： | 沈阳农业大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 周媛媛;李馨 |
| 地址： | 110866 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种洋葱碳/二氧化锰阵列电极及其制备方法和应用，属于超级电容器领域。该电极先制备二氧化锰阵列，然后将该二氧化锰阵列通过火焰法制备洋葱碳/二氧化锰阵列。本发明还提供上述制备方法得到的洋葱碳/二氧化锰阵列电极。所制备得到的洋葱碳/二氧化锰阵列电极应用在超级电容器中，具有优异的比容量和循环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 洋葱 二氧化锰 阵列 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳农业大学，未经沈阳农业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010147242.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
