[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010146291.0 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111725303A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 菊地拓雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具备半导体部、在上述半导体部的背面及表面设置的第1电极、第2电极、在上述表面侧设置的沟槽的内部的控制电极及场板。上述半导体部包含第1导电型的第1层及第3层、第2导电型的第2层。上述第2层设置于上述第1层与上述第2电极之间，上述第3层选择性地设置于上述第2层与上述第2电极之间。上述场板通过第1绝缘膜和第2绝缘膜而从上述半导体部电绝缘。上述控制电极经由上述第1绝缘膜而从上述半导体部电绝缘。上述第2绝缘膜位于上述第1绝缘膜与上述场板之间，具有比上述第1绝缘膜的介电常数低的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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