[发明专利]一种具有纳米二氧化钛层的LED芯片及制备方法有效
| 申请号： | 202010143031.8 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111312869B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 施光典 | 申请（专利权）人： | 深圳市炬诠科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/44;H01L33/00;A61L2/232;A61L101/02 |
| 代理公司： | 北京万贝专利代理事务所(特殊普通合伙) 11520 | 代理人： | 马红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区凤凰街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有纳米二氧化钛层的LED芯片，包括：蓝宝石基板，所述蓝宝石基板的上端设置有氮化镓成核层，所述氮化镓成核层的上端设置有N型氮化镓层，所述N型氮化镓层的上端一侧设置有多量子阱层，所述N型氮化镓层远离所述多量子阱层的上端一侧设置有N型电极及焊垫层，所述多量子阱层的上端设置有P型氮化镓，所述P型氮化镓的上端设置有Ni/Au反射层，所述Ni/Au反射层与P型氮化镓之间设置有二氧化钛层，所述Ni/Au反射层的上端设置有P型电极。有益效果：通过蓝光激发二氧化钛，进而进行杀菌除臭功能，使得LED芯片产品性能更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 纳米 氧化 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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