[发明专利]一种近场低旁瓣平顶Bessel-Gauss波束的径向槽阵列天线有效

专利信息
申请号: 202010142398.8 申请日: 2020-03-04
公开(公告)号: CN111326853B 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 卢萍;黄卡玛;杨阳 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 邓黎
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种基于Bessel‑Gauss函数的近场低旁瓣平顶天线,属于微波输能领域。本发明基于Bessel‑Gauss函数,提出一种径向槽阵列天线,在近场处能产生低旁瓣平顶波束,在保证接收天线功率密度的均匀性,解决现有Bessel天线旁瓣高的问题。本发明天线包括上表面设置为槽阵列的径向圆波导、同轴馈线以及匹配结构。本发明通过场投射算法,将天线近场处的具有低旁瓣平顶波束特性的目标场投射到天线表面,获得天线表面的目标磁流分布。再以优化表面磁流分布为目标,布置天线表面的小槽位置和大小,最终建立径向槽阵列天线模型,使其在近场处产生低旁瓣平顶波束。本发明基于Bessel‑Gauss函数,所提出的径向槽阵列天线模型,在近场处具有低旁瓣平顶特性,可广泛应用于微波无线输能领域中。
搜索关键词: 一种 近场 低旁瓣 平顶 bessel gauss 波束 径向 阵列 天线
【主权项】:
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