[发明专利]有源区阵列的形成方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202010134688.8 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113345800B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 平尔萱;周震;刘洋浩 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种有源区阵列的形成方法及半导体结构。有源区阵列的形成方法包括如下步骤：提供一衬底；形成第一掩膜层于衬底表面，第一掩膜层中具有第一刻蚀图形；形成覆盖于第一掩膜层表面的第二掩膜层；形成具有第二刻蚀图形的第三掩膜层于第二掩膜层表面；形成覆盖第二刻蚀图形侧壁的侧墙；去除第三掩膜层，于相邻侧墙之间形成第三刻蚀图形；沿第三刻蚀图形刻蚀第一掩膜层，于第一掩膜层中形成第四刻蚀图形；沿第一刻蚀图形和第四刻蚀图形刻蚀衬底，于衬底内形成多个有源区。本发明避免了光刻精度对有源区尺寸的限制，使得有源区的尺寸可以进一步的缩小，衬底内部有源区阵列的密度进一步增大。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 阵列 形成 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010134688.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
