[发明专利]一种二氧化硅—二氧化钒多级阵列结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010132472.8 | 申请日： | 2020-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN111411334A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 梁继然;张珂;樊雅婕;于立泽 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 琪琛 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化硅—二氧化钒多级阵列结构及其制备方法，以自组装微米尺寸二氧化硅球为模板，用磁控溅射加快速退火的方式制备二氧化钒薄膜，形成球面上及球缝隙中的二氧化钒阵列结构。本发明制备应用于太赫兹吸收器的二氧化硅—二氧化钒多级阵列结构，使顶层阵列和中间介质层的制备过程相结合，方法较为简单，控制的工艺条件较少，比光刻法成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 氧化 多级 阵列 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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