[发明专利]一种激光蚀刻装置在审
| 申请号： | 202010130905.6 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111283331A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 胡平均 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/362 | 分类号： | B23K26/362;B23K26/142 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种激光蚀刻装置，其包括安装台、激光蚀刻头、防护件以及吸气件；所述激光蚀刻头和所述防护件设置于所述安装台的底侧上，所述防护件围绕所述激光蚀刻头设置以形成吸尘腔；所述吸气件配设有吸气管，所述吸气管的进气端与所述吸尘腔连通。使用激光蚀刻装置对共通电极膜层进行激光蚀刻的过程中，吸气件处于工作状态，吸气管的吸气端产生的吸力将蚀刻过程中产生的颗粒以及气化态的离子粉末吸入到吸尘腔后抽离至吸气管内，防止蚀刻过程中产生的颗粒遗留并污染彩膜基板的表面，提升产品的外观及电性良率，同时可以大大提高激光蚀刻装置内部的洁净度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
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