[发明专利]掩膜版

摘要

本申请涉及一种掩膜版，所述掩膜版主体间隔设置有第一图形区域和第二图形区域。所述掩膜版主体在待曝光区域拼接曝光形成相邻的两个曝光单元。所述第一图形区域在所述待曝光区域形成的第一图案。所述第二图形区域在所述待曝光区域曝光形成的第二图案。在没有拼接曝光误差的情况下，所述第一图案和所述第二图案的位置关系为标准状态。当所述两个曝光单元拼接曝光出现误差时，根据所述第一图案和所述第二图案相对于标准状态的角度偏差可以得到所述两个曝光单元拼接位置偏转的角度，进而可以根据所述角度偏差调整曝光设备或者所述掩膜版，从而进一步提高所述待曝光区域的图案的精确度。