[发明专利]阻变存储器件有效
| 申请号： | 202010130112.4 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111293219B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 刘力锋;王泽昊;马跃驰;于傲;丁向向;冯玉林;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 马瑞 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种阻变存储器件，包括依次层叠设置的第一电极层、绝缘介质层、阻变层、氧存储层和第二电极层，其中，所述阻变层包括多个子阻变层。本发明实施例提供的阻变存储器件，通过设置具有多个子阻变层的阻变层，在多个相互贴合的子阻变层之间形成局部导电细丝，能够提供均匀可靠的高低阻态，使得阻变存储器件拥有良好的均匀性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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