[发明专利]磁性装置在审
| 申请号： | 202010125817.7 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN112490263A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 及川忠昭;李永珉;吉野健一;北川英二;泽田和也;矶田大河 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种维持保留特性且减小饱和磁化及膜厚的积的磁性装置。实施方式的磁性装置具备磁阻效应元件。所述磁阻效应元件包含第1强磁性体、第2强磁性体、所述第1强磁性体与所述第2强磁性体之间的第1非磁性体、以及与所述第1非磁性体之间夹着所述第1强磁性体的第2非磁性体。所述第1非磁性体及所述第2非磁性体含有氧化镁(MgO)。所述第1强磁性体与所述第2非磁性体的界面比所述第1强磁性体与所述第1非磁性体的界面含有更多的硼(B)。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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