[发明专利]一种用于晶圆干燥的提升氮气移除水分子的能力的方法有效
| 申请号： | 202010125638.3 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111312627B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 邓信甫;庄海云;蔡嘉雄;徐铭;陈佳炜 | 申请（专利权）人： | 至微半导体（上海）有限公司;江苏启微半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 | 代理人： | 蔡岩岩 |
| 地址： | 200000 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于晶圆干燥的提升氮气移除水分子的能力的方法，包括在干燥腔室外侧壁设计一维持热氮气稳定的热动能的阳极氧化保温层，且所述阳极氧化保温层内嵌有辅助型管式加热器用于进行辅助加热；以及，通过在干燥腔室外侧壁和干燥腔室内侧壁分别置入用于侦测温度的电子温度计并联动侦测对应于内外两侧的温度差异来控制辅助型管式加热器的加热，以达成对干燥腔室内热氮气的温度的控制以及调节；还包括将干燥腔室底部设计成带有向下的倾斜角度的锥形结构以使得异丙醇液体在排放时可形成螺旋式流动分布。本发明提供了一种能够提升加热氮气移除水分子的能力的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 干燥 提升 氮气 水分子 能力 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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